小米5獲益，高通推出新一代快充技術(shù)

快充技術(shù)被廣泛用于移動設(shè)備和配件中，這一技術(shù)有效地緩解了電池續(xù)航性能不給力的問題。目前，支持高通Quick Charge 2.0的移動設(shè)備多達(dá)40款，該技術(shù)可在半小時(shí)內(nèi)為設(shè)備充上60%的電量。高通一直在思考一個問題，充電能不能再快一點(diǎn)？

最新Quick Charge 3.0技術(shù)與普通設(shè)備充電對比

今日上午，高通正式宣布其子公司QualcommTechnologies, Inc. 現(xiàn)已推出下一代快速充電技術(shù)Quick Charge 3.0。這是高通快充技術(shù)的第三代產(chǎn)品，其在同類產(chǎn)品中首次采用最佳電壓智能協(xié)商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。

INOV算法有什么特點(diǎn)？

INOV是QualcommTechnologies開發(fā)的全新算法，它可以幫助便攜設(shè)備具備選定所需功率電平的能力，設(shè)備在任意時(shí)刻實(shí)現(xiàn)最佳功率傳輸，且最大化效率。因此，該技術(shù)的充電效率也相應(yīng)的提升了，據(jù)高通介紹，35分鐘能為手機(jī)充到80%的電量，相比之下，普通的設(shè)備需要一個半小時(shí)的時(shí)間（如上動圖）。此外，Quick Charge 3.0比高通前兩代快充技術(shù)也有大幅提升：

·  與Quick Charge 2.0相比，幫助提高快速充電速度最高達(dá)27%，或減少功率損耗最高達(dá)45%

·  比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度

另一方面，與Quick Charge 2.0相比，Quick Charge 3.0具備更豐富的充電選項(xiàng)，以200mV增量為一檔，提供了從3.6V到20V的電壓選擇。這種做法可以更匹配手機(jī)的充電電壓，以獲得最佳充電電流，電量損失以及充電效率也進(jìn)一步得到優(yōu)化。

高通還宣布，這項(xiàng)技術(shù)將整合到最新的驍龍820、620、618、617和430處理器當(dāng)中，而搭載該快充技術(shù)的設(shè)備要等到明年才能問世，小米5可能成為第一批用上Quick Charge 3.0的手機(jī)。